Si SILICIO |
14 |
Peso atómico |
28,0855 g/mol |
Estados oxidación |
4, 2 |
Punto de fusión |
1687 K |
Punto de ebullición |
3173 K |
Densidad |
2,33 g/cm³ |
Configuración electrónica |
[Ne] 3s2p2 |
Propiedades ácido/base |
Anfótero |
Estructura cristal |
Cúbico, centrado en cara |
Electronegatividad |
1,90 |
Calor de vaporización |
359 kJ/mol |
Calor de fusión |
50,2 kJ/mol |
Conductividad eléctrica |
2,5·10-4 W-¹m-¹ |
Conductividad térmica |
148 Wm-¹K-¹ (a 300 K) |
Calor específico |
0,70 Jg-¹K-¹ (a 300 K) |
Primer potencial ionización |
8,151 |
Volumen atómico |
12,1 cm³/mol |
Radio atómico |
1,32 Å |
Radio covalente |
1,11 Å |
Sintético |
No |
Configuración electrónica |
Estructura cristalina |
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PROPIEDADES FÍSICAS Y QUÍMICAS |
Es un
elemento muy abundante en la naturaleza, ocupa el segundo lugar en
esta faceta en la corteza terrestre, más de la cuarta parte. El
primero es el oxígeno. En su forma amorfa se presenta como polvo
parduzco. En la cristalina, su color es grisáceo, azulado. La
primera es más activa. El cristal es muy duro (raya el vidrio), poco soluble y
brillo metalizado. Es importantísimo, debido a su caracter semiconductor, en la industria informática ya que es necesario para la fabricación de chips y transistores. También es utilizado en la fabricación de cementos y ladrillo. Resiste la acción de la mayoría de los ácidos, reacciona con los halógenos y las bases diluidas. Es relativamente inerte. |